Uachdar ultra-sheasmhach Mount PAR® Suppressors Voltage Transient (TVS) DO-218AB SM8S
Buannachdan DO-218AB SM8S:
1. Mar thoradh air teicneòlas Modh Etching Ceimigeach, tha toraidhean àicheil dòighean gearraidh dìreach air an cuir às.
2. Cumhachdach ann an cùl surge air sgàth chip nas motha na co-aoisean.
3. Ìre fàilligeadh air leth ìosal ann an diofar shìde agus raointean
4. Aontaichte le inbhe AEC-Q101
5. Tha gnìomhan Diode air an leasachadh as fheàrr, a 'faighinn buannachd bhon dìon saidheansail air ceann-rathaid PN.
PRÌOMH CHOMHARRAN:
VBR: 11.1 V gu 52.8 V
VWM: 10 V gu 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ as àirde tron: 175 °C
Polarity: aon-stiùiridh
Pasgan: DO-218AB
Modhan cinneasachaidh Chip
1. Clò-bhualadh fèin-ghluasadach（Clò-bhualadh wafer fèin-ghluasadach fìor mhionaideach）
2. fèin-ghluasadach First-etching（Uidheam Etching fèin-ghluasadach, CPK> 1.67）
3. Deuchainn Polarity fèin-ghluasadach （Deuchainn Polarity mionaideach）
4. Seanadh fèin-ghluasadach （Co-chruinneachadh mionaideach fèin-leasaichte）
5. Soldering (Dìon le measgachadh de nitrigin & haidridean
Sèididh falamh)
6. Eidseadh fèin-ghluasadach (dàrna fèin-ghluasadach le uisge fìor-ghlan)
7. Gluing fèin-ghluasadach (Gluasad èideadh & àireamhachadh mionaideach air a thoirt gu buil le uidheamachd glaodhaidh mionaideach fèin-ghluasadach)
8. Deuchainn teirmeach fèin-ghluasadach (taghadh fèin-ghluasadach le neach-dearbhaidh teirmeach)
9. Deuchainn fèin-ghluasadach (Deuchainn ioma-ghnìomhach)
